高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設備儀器 技術指標：
1．Q值測量
a．Q值測量范圍：2～1023；
b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔；
c．標稱誤差
| A（高頻） | C（工頻） |
頻率范圍 | 25kHz～10MHz | 100kHz～10MHz |
固有誤差 | ≤5％±滿度值的2% | ≤5％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤7％±滿度值的2% | ≤7％±滿度值的2% |
頻率范圍 | 10MHz～60MHz | 10MHz～160MHz |
固有誤差 | ≤6％±滿度值的2% | ≤6％±滿度值的2% |
工作誤差 | ≤8％±滿度值的2% | ≤8％±滿度值的2% |
2、高頻介電常數(shù)與介質(zhì)損耗測試設備儀器 信號源頻率覆蓋范圍
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
3、電感測量：
a．測量范圍：14.5nH~8.14H。
b．分 檔：分七個量程。
0.1～1μH， 1～10μH， 10～100μH，
0.1～lmH， 1～10mH， 10～100mH， 100 mH～1H。
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233，211 0.9 0.125μH
4、Q表正常工作條件
a. 環(huán)境溫度：0℃～+40℃；
b．相對濕度：<80％；
c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。
5、其他
a．消耗功率：約25W；
b．凈重：約7kg；
c.外型尺寸：（寬×高×深）mm：380×132×280。
6、主要配置：
a.測試主機一臺；
b.電感9只；
c.夾具一 套
7、電橋測量靈敏度
電橋在使用過程中，靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度，為保證測量準確度，希望電橋靈敏度達到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓，標準電容量成正比。
在下面的計算公式中，用戶可根據(jù)實際使用情況估算出電橋靈敏度水平，在這個水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應出來。
DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)
式中：Ｕ為測量電壓 伏特（Ｖ）
ω為角頻率 2pf=314(50Hz)
Ｃｎ標準電容器容量 皮法（pＦ）
Ｉｇ通用指另儀的電流5X10-10 安培（Ａ）
Ｒｇ平衡指另儀內(nèi)阻約1500 歐姆（W）
Ｒ４橋臂R4電阻值3183 歐姆（W）
Ｃｘ被測試品電容值 皮法（ｐF）
8、輔橋的技術特性：
工作電壓±12V，50Hz
輸入阻抗>1012 W
輸出阻抗>0.6 W
放大倍數(shù)>0.99
不失真跟蹤電壓 0～12V（有效值）
產(chǎn)品特點：
作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器，測試頻率上限達到目前高的160MHz。
1 雙掃描技術 - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。
2 雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。
3 雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧，數(shù)碼化電容調(diào)諧。
4 自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
5 全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
6 DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。
7 計算機自動修正技術和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至低，** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。
影響介電性能的因素：
下 面分 別 討論頻率、溫度、濕度和電氣強度對介電性能的影響。
1 頻率
因為 只 有 少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的。r和tans幾乎是恒定的，且被用作工程電介質(zhì)材料，然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電 容率 和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導而產(chǎn)生，醉重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導致的界面極化所引起的。
2 溫度
損耗指數(shù)在一個頻率下可以出現(xiàn)一個醉大值，這個頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負的，這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)醉大值位置。
3 濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加，其結果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導率增大。因此試驗前和試驗時對環(huán)境濕度進行控制是*的.
注 :濕 度 的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)
4 電場強度
存在界面極化時，自由離子的數(shù)目隨電場強度增大而增加，其損耗指數(shù)醉大值的大小和位置也隨此而變。
在較高的頻率下，只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電，電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強度無關
變壓器電橋(電感比例臂電橋)
A. 2. 1 概述
這 種 電 橋的原理比西林電橋簡單。其結構原理見圖A.3 .
當 電橋 平 衡時，復電抗Z、和ZM之間的比值等于電壓矢量U 和U:間的比值。如果電壓矢量的比
值是已知的，便可從已知的Zx,推導出Zx。在理想電橋中比例U,/U :是一個系數(shù) K，這樣 ZK- K ZH
實際上ZM的幅角直接給出ax
變壓 器 電 橋比西林電橋有很大的優(yōu)點，它允許將屏蔽和保護電極直接接地且不需要附加的輔助
橋臂。
這 種 電橋 可在從工頻到數(shù)十MHz的頻率范圍內(nèi)使用。比西林電橋使用的頻率范圍寬。由于頻率
范圍的不同，橋的具體結構也不相同
A.2.2 低頻電橋
通 常是 一 個高壓電橋(更精密，電壓U，是高壓，U:是中壓)，這種電橋的技術與變壓器的技術有關。
可 采 用 兩類電源:
l 電源 電壓直接加到一個繞組上，另一個繞組則起變壓器次級繞組的作用。
2) 將 電源加到初級繞組上(見圖A.3) ，而電橋的兩個繞組是由兩個分開的次級線路組成或是由
一個 帶 有 中 間 抽 頭 能使獲得電壓U,和U 的次級繞組組成
與所 有 的 測量變壓器一樣，電橋存在誤差(矢量比U,/U :與其理論值之間的差) 這種誤差隨負載
而變化尤其是U 和U2之間的相位差，它會直接影響tans的測量值。
因此 ，必 須對電橋進行校正，這可以用一個無損耗電容CN(與在西林電橋中使用的相似)代替Z、進
行。如果C、與Cx的值相同.這實際上是替代法，測試前應校正。但由于C、很少是可調(diào)的，因此負載
的變化對Cx不再有效。電橋在恒定負載下工作是可能的，如圖A.4所示:當測量CN時，用一個轉(zhuǎn)換開
關把CX接地，反之亦然。這時對于高壓繞組來說兩個負載的總和是恒定的。(嚴格地說，低壓邊也應
該用一個相似的裝置，但由于連在低壓邊的負載很小，盡管采用這樣處理很容易，但意義小。)
另外 ，若 用并聯(lián)在電壓IJ上的一個純電容C、校正時，承受電壓U2的測量阻抗ZM組成如下:
) 如 果 U:和U,是同相的(理想情況)，則用一個純電容CM組成。
2) 如 果U:超前U,，則用一個電容C和一個電阻R組成
3) 如 果 Ue滯后于U,，則電阻Ret,應變成負的 這就是說，為了重新建立平衡必須在U,一邊并
人 一 個 電 阻 形 成 電流分量。其實并不存在適用于高壓的可調(diào)高電阻，因此通常阻性電流分量
是用 一 個 輔 助 繞 組 來獲得的，這個輔助繞組提供一個與U,同相的低電壓U3(圖A.5 )
注 :不 可 在蛛 匕串接 一個電阻 因為如果將電阻接在電容器后面會破壞 C,測量極和保護極間的等電位;如果將
電 阻接 到 C、 前 面 的高壓導線上，則電阻(內(nèi))電流也將包括保護電路的電流，這就可能無法校正
這些 論 述 同 樣 適 用 于 上 述 第二 種情況的電阻R} 但在低壓邊容易將三個電阻RR:和側(cè)以星形聯(lián)接來得到一個與電容并聯(lián)的可調(diào)高值電阻。
3 高頻電橋
上面 的 一 些敘述也同樣適用于高頻電橋。但由于它不再是一個高壓電橋，因此承受電壓U，的臂
能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
還應 指 出，帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應
的安匝數(shù)的補償相符
A.2.4 關于檢測器的說明
由于 測 量 臂的一端接地的，因此不必要使用對稱輸人的檢測器
A.3 并聯(lián)T型網(wǎng)絡
在 并 聯(lián) T型網(wǎng)絡橋路中，從振蕩器經(jīng)過兩個 T形網(wǎng)絡流向檢測器的兩股電流在檢測器輸人處是大
小相等而方向相反的。在這個電路中，振蕩器和檢測器都能有一端接地;且在有些可能電路中試樣和用
于平衡的每一個可變元件也有一端接地。
