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GDAT-A 絕緣材料介質(zhì)損耗電容率測試儀

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絕緣材料介質(zhì)損耗電容率測試儀 本公司創(chuàng)新的自動Q值保持技術(shù),使測Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

絕緣材料介質(zhì)損耗電容率測試儀  頻率范圍:

方法

頻率的推薦范圍

試樣形式

1、西林電橋

0.10 MHZ及以下

板或管

 

2、變壓器電橋

15 HZ~50 MHZ

 

3、并聯(lián)T型網(wǎng)絡(luò)

50 KHZ~30 MHZ

 

4、諧振法

10 KHZ~260 MHZ

 

5、變電納法

10 KHZ~100 MHZ

 

 

 

 

 

絕緣材料介質(zhì)損耗電容率測試儀 A型高頻Q表和C型高頻Q表主要區(qū)別

 

A

C

測試頻率范圍

25kHz~60MHz

100kHz~160MHz

主調(diào)電容控制

傳感器

步進(jìn)馬達(dá)

電容搜索

 

 

 

工作特性

   1.Q值測量

  a.Q值測量范圍:2~1023;

  b.Q值量程分檔:30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔;

c.標(biāo)稱誤差

 

A(高頻)

C(工頻)

頻率范圍

25kHz~10MHz

100kHz~10MHz

固有誤差

≤5%±滿度值的2%

≤5%±滿度值的2%

工作誤差

≤7%±滿度值的2%

≤7%±滿度值的2%

頻率范圍

10MHz~60MHz

10MHz~160MHz

固有誤差

≤6%±滿度值的2%

≤6%±滿度值的2%

工作誤差

≤8%±滿度值的2%

≤8%±滿度值的2%

   2.電感測量范圍

A

C

14.5nH~8.14H

4.5nH~140mH

3.電容測量

 

A

C

直接測量范圍

1~460p

1~205p

主電容調(diào)節(jié)范圍

40~500pF

18~220pF

準(zhǔn)確度

150pF以下±1.5pF;

150pF以上±1%

150pF以下±1.5pF

150pF以上±1%

   注:大于直接測量范圍的電容測量見使用方法。

   4.信號源頻率覆蓋范圍

    

A

C

頻率范圍

10kHz~60MHz

0.1~160MHz

CH1

10~99.9999kHz

0.1~0.999999MHz

CH2

100~999.999kHz

1~9.99999MHz

CH3

1~9.99999MHz

10~99.9999MHz

CH4

10~60MHz

100~160MHz

頻率指示誤差

3×10-5±1個(gè)字

 

   5.Q合格指示預(yù)置功能:預(yù)置范圍:5~1000

   6.Q表正常工作條件

   a. 環(huán)境溫度:0℃~+40℃;

   b.相對濕度:<80%;

   c.電源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。

   7.其他

   a.消耗功率:約25W;

   b.凈重:約7kg;

   c.外型尺寸:(寬×高×深)mm:380×132×280。

 

 

 

 

影響介電性能的因素
下 面分 別 討論頻率、溫度、濕度和電氣強(qiáng)度對介電性能的影響。
1 頻率
因?yàn)?只 有 少數(shù)材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很寬的頻率范圍內(nèi)它們的。r和tans幾乎是恒定的,且被用作工程電介質(zhì)材料,然而一般的電介質(zhì)材料必須在所使用的頻率下測量其介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率。
電 容率 和介質(zhì)損耗因數(shù)的變化是由于介質(zhì)極化和電導(dǎo)而產(chǎn)生,醉重要的變化是極性分子引起的偶極子極化和材料的不均勻性導(dǎo)致的界面極化所引起的。
2 溫度
損耗指數(shù)在一個(gè)頻率下可以出現(xiàn)一個(gè)醉大值,這個(gè)頻率值與電介質(zhì)材料的溫度有關(guān)。介質(zhì)損耗因數(shù)和電容率的溫度系數(shù)可以是正的或負(fù)的,這取決于在測量溫度下的介質(zhì)損耗指數(shù)醉大值位置。
3 濕度
極 化 的 程度隨水分的吸收量或電介質(zhì)材料表面水膜的形成而增加,其結(jié)果使電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電導(dǎo)率增大。因此試驗(yàn)前和試驗(yàn)時(shí)對環(huán)境濕度進(jìn)行控制是*的
注 :濕 度 的顯著影響常常發(fā)生在1MHz以下及微波頻率范圍內(nèi)
4 電場強(qiáng)度
存 在 界 面極化時(shí),自由離子的數(shù)目隨電場強(qiáng)度增大而增加,其損耗指數(shù)醉大值的大小和位置也隨此而變。
在較 高 的頻率下,只要電介質(zhì)中不出現(xiàn)局部放電,電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)與電場強(qiáng)度無關(guān)

 

儀器特點(diǎn):

☆接線簡單(正接法兩根線,反接可使用一根線),所有電纜線均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,測量電壓緩升、緩降,全自動測量,結(jié)果直讀,無須換算。

☆多種測量方式 可選擇正/反接線、內(nèi)/外標(biāo)準(zhǔn)電容器和內(nèi)/外試驗(yàn)電壓進(jìn)行測量。正接線可測量高壓介損。

☆ 抗震性能 儀器可承受長途運(yùn)輸中強(qiáng)烈震動顛簸而不會損壞。

☆ 抗干擾能力強(qiáng) 采用自動跟蹤干擾抵償電路,將矢量運(yùn)算法與移相法結(jié)合,有效地消除強(qiáng)電場干擾對測量的影響,適用于500kV及其以下電站的現(xiàn)場試驗(yàn)。

☆CVT測量 *自激法測量CVT功能,不需外加任何設(shè)備,可完成不可拆頭CVT的測量。一次接線(三根電纜,不用倒線),一個(gè)測量過程(大約1分鐘),兩個(gè)終測量結(jié)果(C1和C2的介損及電容值)。測量過程中文顯示,能實(shí)時(shí)監(jiān)測自激電流值和試驗(yàn)電壓(高壓)值。能消除引線對測試的影響,測量結(jié)果準(zhǔn)確可靠。

☆ 安全措施

(1)高壓保護(hù):試品短路、擊穿或高壓電流波動,能迅速切斷高壓輸出。

(2)CVT保護(hù):設(shè)定自激電壓的過流點(diǎn),一旦超出設(shè)置的電流值,儀器自動退出測量,不會損壞設(shè)備。

(3)接地檢測:儀器有接地檢測功能,未接地時(shí)不能升壓測量。

(4)防誤操作:具備防誤操作設(shè)計(jì),能判別常見接線錯誤,安全報(bào)警。

(5)防“容升”:測量大容量試品時(shí)會出現(xiàn)電壓抬高的“容升”效應(yīng),儀器能自動跟蹤輸出電壓,保持試驗(yàn)電壓恒定。

 

☆ VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器,在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說明書即可操作。

☆打印 儀器附有微型打印機(jī),以中文方式打印輸出測量結(jié)果及狀態(tài)。

☆RS232 儀器具有RS232接口,與計(jì)算機(jī)連接便于數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)和處理及保存。

☆可選購與計(jì)算機(jī)通信應(yīng)用程序。

 

 

電橋測量靈敏度

 

    電橋在使用過程中,靈敏度直接影響電橋平衡的分辨程度,為保證測量準(zhǔn)確度,

 

希望電橋靈敏度達(dá)到一定的水平。通常情況下電橋靈敏度與測量電壓,標(biāo)準(zhǔn)電容量

 

成正比。

 

    在下面的計(jì)算公式中,用戶可根據(jù)實(shí)際使用情況估算出電橋靈敏度水平,在這

 

個(gè)水平上的電容與介質(zhì)損耗因數(shù)的微小變化都能夠反應(yīng)出來。

 

          DC/C或Dtgd=Ig/UwCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)   

 

         式中:U為測量電壓                     伏特(V)

 

ω為角頻率 2pf=314(50Hz)                            

 

          Cn標(biāo)準(zhǔn)電容器容量                    皮法(pF)

 

          Ig通用指另儀的電流5X10-10            安培(A)

 

          Rg平衡指另儀內(nèi)阻約1500              歐姆(W)

 

          R4橋臂R4電阻值3183                 歐姆(W)

 

          Cx被測試品電容值                    皮法(pF)

 

 

介質(zhì)損耗(dielectric loss )指的是絕緣材料在電場作用下,由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng),在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失,簡稱介損。

介質(zhì)損耗因數(shù)(dielectric loss factor)指的是衡量介質(zhì)損耗程度的參數(shù)。

 

高頻電橋
由于它不再是一個(gè)高壓電橋,因此承受電壓U1的臂能容易地引人可調(diào)元件;替代法在此適用
 還應(yīng)指出,帶有分開的初級繞組的電橋允許電源和檢測器互換位置。其平衡與在次級繞組中對應(yīng)
的安匝數(shù)的補(bǔ)償相符.

 

低頻電橋

 一般為高壓電橋,這不僅是由于靈敏度的緣故,也因?yàn)樵诘皖l下正是高電壓技術(shù)特別對電介質(zhì)損耗

關(guān)注的問題。電容臂和測量臂兩者的阻抗大小在數(shù)量級上相差很多,結(jié)果,絕大部分電壓都施加在電容

Cx和 C}上,使電壓分配不平衡 上面給出的電橋平衡條件只是當(dāng)?shù)蛪涸Ω邏涸帘螘r(shí)才成

立。同時(shí),屏蔽必須接地,以保證平衡穩(wěn)定。如圖A. 2所示。屏蔽與使用被保護(hù)的電容 C、和 C、是一

致的,這個(gè)保護(hù)對于Ch來說是*的。

 由于選擇不同的接地方法,實(shí)際上形成了兩類電橋。

 

 

特點(diǎn):

◆ 優(yōu)化的測試電路設(shè)計(jì)使殘值更小

◆ 高頻信號采用數(shù)碼調(diào)諧器和頻率鎖定技術(shù)

◆ LED 數(shù)字讀出品質(zhì)因數(shù),手動/自動量程切換

◆ 自動掃描被測件諧振點(diǎn),標(biāo)頻單鍵設(shè)置和鎖定,大大提高測試速度

 

 

加到試樣上的電極
電極可選用任意一種。如果不用保護(hù)環(huán)。而且試樣上下的兩個(gè)電極難以對齊時(shí),其中一個(gè)電極應(yīng)比另一個(gè)電極大些。已經(jīng)加有電極的試樣應(yīng)放置在兩個(gè)金屬電極之間,這兩個(gè)金屬電極要比試樣上的電極稍小些。對于平板形和圓柱形這兩種不同電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式以及邊緣電容近似計(jì)算的經(jīng)驗(yàn)公式由表飛給出。對于 介 質(zhì) 損耗因數(shù)的測量,這種類型的電極在高頻下不能滿足要求,除非試樣的表面和金屬板都非常平整。電極系統(tǒng)也要求試樣厚度均勻

試樣上不加電極
表 面 電導(dǎo) 率很低的試樣可以不加電極而將試樣插人電極系統(tǒng)中測量,在這個(gè)電極系統(tǒng)中,試樣的一側(cè)或兩側(cè)有一個(gè)充滿空氣或液體的間隙。
平 板 電極 或圓柱形電極結(jié)構(gòu)的電容計(jì)算公式由表3給出。
下 面 兩 種型式的電極裝置特別合適

北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司

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手機(jī):18911395947

聯(lián)系人:陳丹

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