半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設計，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至皮安級漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴展到12kV，

半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成，過程既復雜又耗時，還占用過多測試臺的空間。實施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，普賽斯半導體分立器件靜態(tài)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

系統(tǒng)特點和優(yōu)勢：
 
單臺Z大3500V輸出；
 
單臺Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
 
15us的超快電流上升沿；
 
同步測量；
 
國標全指標的自動化測試；

系統(tǒng)指標

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
 
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
 
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
 
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容     

續(xù)流二極管壓降Vf
 
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
 
普賽斯半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達10KV,電流可高達6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，皮安級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設計，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求。 

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-12KV的電壓電流范圍，并在多個領域展現(xiàn)出覺對優(yōu)勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測試性能均處于覺對優(yōu)勢地位。更多有關半導體分立器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的信息上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢