防爆型紅外測(cè)溫儀BL2MR1S系列產(chǎn)品儀表技術(shù)要求及主要參數(shù)及規(guī)格說明1)紅外測(cè)溫儀為防爆型，防爆等級(jí)ExdIICT6；防護(hù)等級(jí)為IP652)有現(xiàn)場(chǎng)數(shù)字顯示

防爆型紅外測(cè)溫儀BL2MR1S系列產(chǎn)品
儀表技術(shù)要求及主要參數(shù)及規(guī)格說明
1) 紅外測(cè)溫儀為防爆型，防爆等級(jí)Ex d II CT6；防護(hù)等級(jí)為IP65
2) 有現(xiàn)場(chǎng)數(shù)字顯示。
3) 帶安裝支架和相應(yīng)緊固件。
4) 本體上安裝銘牌，銘牌包含儀表型號(hào)，規(guī)格，防爆等級(jí)，防護(hù)等級(jí)等內(nèi)容。
5) 比色（雙色）紅外測(cè)溫儀，在移動(dòng)瞄準(zhǔn)器200mm范圍內(nèi)不需調(diào)整情況下不影響測(cè)量精度。
6) 瞄準(zhǔn)器要便于對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)。
7) 24VC直流供電
8) 變送器（轉(zhuǎn)換器）的環(huán)境溫度 -10~55℃.
應(yīng)用：
用于防爆要求等級(jí)Ex d II CT6的工況條件下，紅外測(cè)溫探頭MR1S是高性能的雙色測(cè)溫儀，帶有雙向數(shù)字通訊、屏幕不潔報(bào)警，以及快速響應(yīng)時(shí)間。專門用于小的或移動(dòng)的目標(biāo)或由于灰塵，煙霧及大氣中其他微粒遮擋的目標(biāo)的測(cè)量。主要用于熱處理、半導(dǎo)體加工（如多晶硅還原爐的硅棒的溫度測(cè)量）、鋼鐵、線材（如鋼鐵公司的棒材溫度測(cè)量）制造。
產(chǎn)品一般特點(diǎn)
- 簡(jiǎn)捷、堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì)，符合NEMA-4標(biāo)準(zhǔn)
- 單色或者雙色操作（功能）
- 快速響應(yīng)時(shí)間低到10毫秒
- 高光學(xué)分辨率130:1
- 高速數(shù)字信號(hào)處理器確保智能操作
- 雙向RS-485通訊（可聯(lián)網(wǎng)）
- 一個(gè)多點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)支持多達(dá)32個(gè)馬拉松傳感頭
- 采用用戶定義的報(bào)警方式，模擬和數(shù)字輸出同步
- 有標(biāo)準(zhǔn)焦距和近焦距可選
- 可變焦距及內(nèi)置用戶界面便于安裝
- 透鏡瞄準(zhǔn)功能
- 用戶設(shè)定報(bào)警值可模擬或數(shù)字輸出
- 使用ThermoJacket保護(hù)裝置，耐環(huán)境溫度到315°C (600°F)
- 的不潔窗口報(bào)警
- 馬拉松DataTemp軟件，可以遙控設(shè)置和監(jiān)測(cè)
- 現(xiàn)場(chǎng)標(biāo)定和探頭診斷軟件
BL2MR1S測(cè)溫探頭選型表
 
A （溫度范圍） A    600～1400℃， D:S= 44:1
 B    700～1800℃， D:S= 82:1
 C    1000～3000℃，D:S=130:1
B （焦距） SF 可變光學(xué)系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)焦距N/C
 CF 可變光學(xué)系統(tǒng)的近焦距
C: 選件 訂貨時(shí)必須說明 ，根據(jù)用戶的要求，和我們的選型工程師溝通！

紅外測(cè)溫探頭MR1SA技術(shù)指標(biāo)
測(cè)溫范圍：600℃～1400℃（1112°F～2552°F）
D：S=44：1
探測(cè)器：硅/硅層探測(cè)器，通常1.0
精度：滿量程的±0.3%，
溫度分辨率：1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間：10ms
發(fā)射率（單色）：0.10～1.0，步長(zhǎng)0.01
坡度（雙色）：0.85～1.15，步長(zhǎng)0.001
信號(hào)處理：峰值保持和平均值

紅外測(cè)溫探頭MR1SB技術(shù)指標(biāo)
測(cè)溫范圍：700℃～1800℃（1292°F～3632°F）
D：S=82：1
探測(cè)器：硅/硅層探測(cè)器，通常1.0
精度：滿量程的±0.3%，
溫度分辨率：1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間：10ms
發(fā)射率（單色）：0.10～1.0，步長(zhǎng)0.01
坡度（雙色）：0.85～1.15，步長(zhǎng)0.001
信號(hào)處理：峰值保持和平均值

紅外測(cè)溫探頭MR1SC技術(shù)指標(biāo)
測(cè)溫范圍：1000℃～3000℃（1832°F～5432°F）
D：S=130：1
探測(cè)器：硅/硅層探測(cè)器，通常1.0
精度：滿量程的±0.3%，
溫度分辨率：1℃或°F
響應(yīng)時(shí)間：10ms
發(fā)射率（單色）：0.10～1.0，步長(zhǎng)0.01
坡度（雙色）：0.85～1.15，步長(zhǎng)0.001
信號(hào)處理：峰值保持和平均值