高低溫探針臺(tái)晶圓測(cè)溫系統(tǒng) 半導(dǎo)體硅片測(cè)溫
探針臺(tái)是一個(gè)平臺(tái)，上面配有微小的探針。這些探針能夠與晶圓表面接觸，從而實(shí)時(shí)測(cè)量晶圓的溫度。
作為晶圓測(cè)試中的關(guān)鍵設(shè)備，探針臺(tái)的運(yùn)作原理在于通過(guò)其探針與被測(cè)器件上的 PAD 點(diǎn)精確對(duì)位，以實(shí)現(xiàn)測(cè)試機(jī)輸出激勵(lì)信號(hào)的互通與信號(hào)反饋，最終獲取和采集測(cè)試數(shù)據(jù)。高低溫真空探針臺(tái)可以很好的滿足極低溫測(cè)試和高溫?zé)o氧化測(cè)設(shè)。在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，工程師們追求以最短的時(shí)間獲得可靠的測(cè)試數(shù)據(jù)。
典型的晶圓高低溫測(cè)試通常涵蓋溫度范圍從 -45°C 至 150°C，而在晶圓可靠性測(cè)試中，溫度可能高達(dá) 300°C。然而，隨著探針臺(tái)進(jìn)行溫度變化，由于熱膨脹和冷收縮效應(yīng)，探針與卡盤之間可能會(huì)出現(xiàn)熱漂移，從而影響探針與 PAD 點(diǎn)之間的對(duì)準(zhǔn)，增加晶圓探針測(cè)試的難度。更有一些晶圓測(cè)試要求在**溫度環(huán)境下，甚至達(dá)到 500°C 以上。隨著溫度的升高，探針臺(tái)也將面臨更大的溫度范圍測(cè)試壓力。
高低溫晶圓探針臺(tái)需要確保
1）溫度的均勻穩(wěn)定性；為晶圓測(cè)試提供精確的溫度環(huán)境，既反應(yīng)探針臺(tái)機(jī)械的穩(wěn)定性，又是影響測(cè)試數(shù)據(jù)真實(shí)結(jié)果的關(guān)鍵；
2）升降溫速率；探針臺(tái)的升降溫速率也是一項(xiàng)重要的指標(biāo)。低溫測(cè)試時(shí)，避免空氣中的水蒸氣在樣品上凝結(jié)成露水，從而避免漏電過(guò)大或探針無(wú)法接觸電極而使測(cè)試失敗。同時(shí)，在真空環(huán)境中，傳熱的方式作用下，能更有效的提高制冷效率。高溫測(cè)試時(shí)，在真空環(huán)境下，也能有效減少樣品氧化，從而避免樣品電性誤差、物理和機(jī)械上的形變。
智測(cè)電子TC-WAFER高低溫探針臺(tái)晶圓測(cè)溫系統(tǒng) 半導(dǎo)體硅片測(cè)溫應(yīng)用于高低溫晶圓探針臺(tái)，測(cè)量精度可達(dá)mk級(jí)別，可以多區(qū)測(cè)量晶圓特定位置的溫度真實(shí)值，也可以精準(zhǔn)描繪晶圓整體的溫度分布情況，還可以監(jiān)控半導(dǎo)體設(shè)備控溫過(guò)程中晶圓發(fā)生的溫度變化，了解升溫、降溫以及恒溫過(guò)程中設(shè)備的有效性。
智測(cè)電子還提供整個(gè)實(shí)驗(yàn)室過(guò)程的有線溫度計(jì)量，保證溫度傳感器的長(zhǎng)期測(cè)量精度。
合肥智測(cè)電子致力于高精度溫測(cè)、溫控設(shè)備的生產(chǎn)和研發(fā)定制，為半導(dǎo)體設(shè)備提供可靠的國(guó)產(chǎn)解決方案。
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