發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學(xué)鏡筒，雙陽(yáng)極熱發(fā)射電子槍?zhuān)?/span>

分辨率：
高真空成像 3.0nm@ 30kV（SE）；8.0 nm@ 3kV（SE）
低真空成像 3.0nm@ 30kV（SE）；4.0 nm@ 3kV（BSE）；10nm@ 3kV（SE）
環(huán)境掃描模式成像 3.0nm@ 30kV（SE）
放大倍數(shù)：5 ~ 1,000,000×（寶麗來(lái)相紙放大）

加速電壓范圍：200V ~ 30kV 

探針電流范圍：可達(dá)到2μA，連續(xù)可調(diào)；

低真空范圍：高達(dá)130Pa；

ESEM真空范圍：高達(dá)2600Pa（H2O）/4000Pa（N2）；

X-Ray工作距離：10mm，EDS檢出角35°

樣品室：從左至右為340mm寬的大存儲(chǔ)空間，樣品室可拓展接口數(shù)量12個(gè)，含能譜儀接口3個(gè)（其中2個(gè)處于180°對(duì)角位置）

樣品臺(tái)：五軸優(yōu)中心全自動(dòng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
X=110 mm,Y=110 mm,Z=65 mm,T=-15o~90o,R=360o （連續(xù)旋轉(zhuǎn)）
多用途SEM樣品安裝載物臺(tái)，可同時(shí)放置 18 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)樣品座（φ12mm）
樣品高度不低于200mm
樣品承重 5 kg

探測(cè)器系統(tǒng)：
高真空二次電子探測(cè)器ETD
樣品室內(nèi)IR紅外相機(jī)CCD
低真空二次電子探測(cè)器LVD
氣體二次電子探測(cè)器GSED（環(huán)境真空）

控制系統(tǒng)：
操作系統(tǒng)：Windows 10
圖像顯示：24寸LCD顯示器，顯示分辨率1920×1200
支持用戶自定義的GUI，可同時(shí)實(shí)時(shí)顯示四幅圖像
軟件支持Undo和Redo功能