通過在現(xiàn)有的APD系列電弧等離子體納米粒子形成裝置和現(xiàn)有的真空室中增加氣相沉積源，可以同時氣相沉積不同的“靶”，從而生產(chǎn)具有新特性的材料。
應用
- 利用多個氣相沉積源生產(chǎn)化合物
- 在您的真空室中增加
特點
- 納米粒子的尺寸比以往的濕法更加均勻，因此可以生成高活性的催化劑
- 納米顆粒的粒徑可從1.5nm到6nm不等
- 通過改變氣氛，可以很容易地生成氧化物和氮化物
- 可沿任意方向安裝ICF070（VG50）凸緣
- 無需水冷設備，易于維護
參數(shù)
| 目標尺寸 | φ10mm×長17mm |
|---|---|
| 基板尺寸 | 2英寸（50mm） |
| 成膜速度 | 0.01 nm/s ～ 0.3 nm/s *1 |
| 膜厚分布 | 對于Fe:< ±10%（φ20mm區(qū)域）*1 |
| 成膜材料 | 一般導電材料*2 |
＊1 目標到電路板距離80mm時
＊2 靶比電阻0.01歐姆或更小
動作圖像
實用程序
設備配置圖
- 電源:單相AC200V±10%2kVA
- 尺寸
- ? 電容器盒:W110×D320×H200（mm）
- ? 真空部:φ34×L200（mm）
- ? 電源:W 200×D 360×H 200（mm）
- ? 控制器:W 240×D 400×H 200（mm）
※電源和控制器安裝在機架中
參考圖像
擴展示例
表1目標使用結果表
| 1A | 2A | 3A | 4A | 5A | 6A | 7A | 8 | 1B | 2B | 3B | 4B | 5B | 6B | 7B | 0 | |||
| 1 | H | He | ||||||||||||||||
| 2 | Li | Be | B | C | N | O | F | Ne | ||||||||||
| 3 | Na | Mg | Al | Si | P | S | Cl | Ar | ||||||||||
| 4 | K | Ca | Sc | Ti | V | Cr | Mn | Fe | Co | Ni | Cu | Zn | Ga | Ge | As | Se | Br | Kr |
| 5 | Rb | Sr | Y | Zr | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag | Cd | In | Sn | Sb | Te | I | Xe |
| 6 | Cs | Ba | Lanthanoid | Hf | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | TI | Pb | Bi | Po | At | Rn |
| 7 | Fr | Ra | Actinoid | |||||||||||||||
已實現(xiàn) 使用條款有限
