JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡的電子光學(xué)系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配備了一體化的球差校正器, 其掃描透射像分辨率（STEM-HAADF）達(dá)到了0.08nm，為商用透射電子顯微鏡分辨率的世界之zui。
保證0.08nm的世界zui高STEM （HAADF） 分辨率
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡
為電子光學(xué)系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配備了一體化球差校正器，電氣和機(jī)械性能的穩(wěn)定性也達(dá)到極限水平, 使掃描透射像（STEM-HAADF）分辨率達(dá)到0.08nm, 成為商用透射電子顯微鏡中的世界之zui。電子束在像差校正之后, 束流密度比傳統(tǒng)的透射電子顯微鏡高出一個(gè)數(shù)量級(jí)。因?yàn)槭鞲粮?xì)、電流密度高, ARM200F能夠在進(jìn)行原子水平分析的同時(shí), 還能縮短檢測(cè)時(shí)間和提高樣品處理能力。
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡電氣穩(wěn)定性的提高
要達(dá)到原子水平的分辨率, 控制電子光學(xué)系統(tǒng)的電源需要穩(wěn)定。ARM200F把高壓和物鏡電流變動(dòng)降低到傳統(tǒng)透射電子顯微鏡50%, 大幅度地提高了電氣的穩(wěn)定性。
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡機(jī)械穩(wěn)定性的提高
照射系統(tǒng)和成像系統(tǒng)采用像差校正器，實(shí)現(xiàn)原子水平的分析和成像，需要控制原子水平的振動(dòng)和變形。 ARM200F整體機(jī)械強(qiáng)度比傳統(tǒng)透射電子顯微鏡增大兩倍，通過(guò)增大鏡筒尺寸，提高了剛度，優(yōu)化了操作臺(tái)結(jié)構(gòu),增強(qiáng)了機(jī)械的穩(wěn)定性。
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡高擴(kuò)展性的STEM 分析能力
暗場(chǎng)檢測(cè)器因STEM檢測(cè)角度的不同有兩種類(lèi)型（其中一種為標(biāo)配）, 它和明場(chǎng)檢測(cè)器（標(biāo)準(zhǔn)配備）, 背散射電子檢測(cè)器 （選配件） 可以同時(shí)安裝。新的掃描成像獲取系統(tǒng)能夠同時(shí)收集4種不同類(lèi)型的信號(hào), 可以同時(shí)觀察這4種圖像。
JEM-ARM200F 透射電子顯微鏡環(huán)境對(duì)策
裝置設(shè)置室的溫度變化和雜散磁場(chǎng)也能引起原子水平的振動(dòng)和變形。為降低外部影響，ARM200F特別標(biāo)配了熱屏蔽和磁屏蔽系統(tǒng)。另外，對(duì)鏡筒加外売覆蓋以免受周?chē)諝鈱?duì)流所引起的鏡筒表面溫度變化的影響。
用于成像系統(tǒng)的球差校正器 （選配件）
使用選配的成像系統(tǒng)球差校正器, 透射電子顯微鏡的圖像（TEM）分辨率能提高到0.11 nm。
| 樣品臺(tái) |
| 樣品臺(tái) | 全對(duì)中側(cè)插式測(cè)角臺(tái) |
| 樣品尺寸 | 直徑3mm |
| 樣品傾斜角 | zui大25°（使用雙傾臺(tái)） |
| 移動(dòng)范圍 | X/Y:±1.0mm（馬達(dá)驅(qū)動(dòng)） |
| 球差校正器 |
| 照明系統(tǒng)的球差校正器（STEM） | 標(biāo)準(zhǔn)配置 |
| 成像系統(tǒng)的球差校正器（TEM） | 選配件 |
| 選配件 | 能譜儀（EDS）
電子能量損失譜儀 （EELS）
CCD 相機(jī)等 |
1. 使用HAADF （高角度環(huán)形暗場(chǎng)）檢測(cè)器
2. 測(cè)試標(biāo)樣Ge（112）情況下保證.
3. 選配件
4. 標(biāo)準(zhǔn)電壓: 120 kV, 200 kV
