一、近紅外加熱爐產(chǎn)品簡介
目前高溫加熱大都為管式爐或馬弗爐，原理為加熱絲或硅碳棒對(duì)爐體加熱，加熱與降溫速度慢，效率低下，也無法實(shí)現(xiàn)溫度的測量，加熱區(qū)域也存在不均勻的現(xiàn)象，華測儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)，高反射率的拋物面與高質(zhì)量的加熱源相配置，在高速加熱高速冷卻時(shí)，具有良好的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，用石英管保護(hù)加熱式樣，無氣氛污染。可在高真空，高出純度氣體中加熱。設(shè)備可組成均熱高速加熱爐，溫度斜率爐，階段加熱爐。
它提高了加熱試驗(yàn)?zāi)芰ΑＭ娮锠t和其他爐相比，紅外線反射爐節(jié)省了升溫時(shí)間和保持時(shí)間及自然冷卻到室溫所需時(shí)間，在試驗(yàn)中也可改寫設(shè)定溫度值。從各方面講，都節(jié)省時(shí)間并提高實(shí)驗(yàn)速度。
同高頻爐相比，不需特殊的安裝條件及對(duì)加熱試樣的要求。同電阻爐一樣安裝簡單，有冷卻系統(tǒng)安全可靠。以提高試驗(yàn)人員的工作效率，實(shí)現(xiàn)全新的溫度控制操作！
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
溫度控制器
溫度控制器采用先進(jìn)移相觸發(fā)技術(shù)、控制近紅外爐按設(shè)定的升溫速度進(jìn)行升溫和降溫?？赏ㄟ^上位機(jī)進(jìn)行不同的升溫速率進(jìn)行設(shè)定。
制冷循環(huán)機(jī)
為實(shí)現(xiàn)爐體快速降溫以及提高試驗(yàn)效率高溫爐配置制冷水循環(huán)系統(tǒng)，同時(shí)增設(shè)氣體冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)快速冷卻。
三、產(chǎn)品優(yōu)勢及不同的組合
*高速加熱與冷卻方式
高能量的紅外燈和鍍金反射方式允許高速加熱到高溫。同時(shí)爐體可配置水冷系統(tǒng)，增設(shè)氣體冷卻裝置，可實(shí)現(xiàn)快速冷卻。
*溫度控制
近紅外鍍金聚焦?fàn)t和溫度控制器的組合使用，可以精que控制樣品的溫度（遠(yuǎn)比普通加溫方式）。此外，冷卻速度和保持在任何溫度下可提供。
*不同環(huán)境下的加熱與冷卻
加熱/冷卻可用真空、氣氛環(huán)境、低溫（高純度惰性氣體 靜態(tài)或流動(dòng)），操作簡單，使用石英玻璃制成。紅外線可傳送到加熱/冷卻室。
四、反射爐溫度控制裝置原理
高速升溫時(shí)，配套快速反應(yīng)的紅外線反射爐控制裝置，本控制裝置采用可編程溫度控制器。高性能緊湊設(shè)計(jì)，響應(yīng)速度快、溫控精度高。為了高速加熱、設(shè)備采用移相觸發(fā)技術(shù)保證試驗(yàn)溫度；
根據(jù)設(shè)備上的溫度控制器輸入?yún)?shù)，您也可以簡單輸入溫度程序設(shè)定和外部信號(hào)。另外還可以在電腦上顯示加熱過程中的溫度實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)；
自適應(yīng)熱電偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型；?大可設(shè)定32個(gè)程序、256個(gè)步驟的程序；
30A、60A、120A內(nèi)置了SCR電路，所以范圍很廣；
250mmX50mmDX50mmH小巧尺寸。
五、近紅外加熱爐產(chǎn)品應(yīng)用
電子材料
半導(dǎo)體用硅化合化的PRA（加熱后急速冷卻）
熱源薄膜形成
激活離子注入后
硅化物的形成
陶瓷與無機(jī)材料
陶瓷基板退火爐
玻璃基板退火爐
陶瓷張力、撓曲試驗(yàn)退火爐
鋼鐵和金屬材料
薄鋼板加熱過程的數(shù)值模擬
爐焊接模擬
高真空熱處理（1000℃以下）
大氣氣體熔化過程
壓力下耐火鋼和合金的熱循環(huán)試驗(yàn)爐
復(fù)合材料
耐熱性評(píng)價(jià)爐
無機(jī)復(fù)合材料熱循環(huán)試驗(yàn)爐
其它
高溫材料電性能試驗(yàn)爐
分段分區(qū)控制爐
溫度梯度爐
爐氣分析
超導(dǎo)陶瓷退火爐
高溫拉伸壓縮試驗(yàn)爐
